P7510ED Todos los transistores

 

P7510ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P7510ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

P7510ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  niko-sem
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P7510ED

P-Channel Enhancement Mode P7510ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -20A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

 8.1. Size:380K  niko-sem
 p7510eeu.pdf pdf_icon

P7510ED

P-Channel Enhancement Mode P7510EEU NIKO-SEM PDFN 3.3x3.3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -13A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE #1S S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-So

 8.2. Size:374K  niko-sem
 p7510ek.pdf pdf_icon

P7510ED

P-Channel Enhancement Mode P7510EK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -19A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S#1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Vo

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History: FMC20N50E | IRLR3715

 

 
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