P7510ED Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P7510ED  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO-252

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P7510ED datasheet

 ..1. Size:254K  niko-sem
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P7510ED

P-Channel Enhancement Mode P7510ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -20A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

 8.1. Size:380K  niko-sem
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P7510ED

P-Channel Enhancement Mode P7510EEU NIKO-SEM PDFN 3.3x3.3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY D D D D V(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -13A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE #1 S S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-So

 8.2. Size:374K  niko-sem
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P7510ED

P-Channel Enhancement Mode P7510EK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY D D D D V(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -19A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Vo

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