P7510ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P7510ED
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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P7510ED Datasheet (PDF)
p7510ed.pdf
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p7510ek.pdf
P-Channel Enhancement Mode P7510EK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -19A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S#1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Vo
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Liste
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