P7510EK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P7510EK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P7510EK

P7510EK Datasheet (PDF)

..1. Size:374K niko-sem
p7510ek.pdf

P-Channel Enhancement Mode P7510EK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -19A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S#1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Vo

8.1. Size:380K niko-sem
p7510eeu.pdf

P-Channel Enhancement Mode P7510EEU NIKO-SEM PDFN 3.3x3.3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -13A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE #1S S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-So

8.2. Size:254K niko-sem
p7510ed.pdf

P-Channel Enhancement Mode P7510ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -20A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

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Liste

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