P7510EK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P7510EK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
P7510EK Datasheet (PDF)
p7510ek.pdf

P-Channel Enhancement Mode P7510EK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -19A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S#1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Vo
p7510eeu.pdf

P-Channel Enhancement Mode P7510EEU NIKO-SEM PDFN 3.3x3.3S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -13A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE #1S S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-So
p7510ed.pdf

P-Channel Enhancement Mode P7510ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -100V 75m -20A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =
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History: HM2301C
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