P9006EDA Todos los transistores

 

P9006EDA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P9006EDA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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P9006EDA datasheet

 ..1. Size:210K  niko-sem
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P9006EDA

P-Channel Enhancement Mode P9006EDA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m -13A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = ... See More ⇒

 7.1. Size:463K  unikc
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P9006EDA

P9006EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 90m @VGS = -10V -60V -15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -10 A IDM -50 Pulsed Drain C... See More ⇒

 7.2. Size:829K  cn vbsemi
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P9006EDA

P9006EDG www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symb... See More ⇒

 8.1. Size:250K  cystek
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P9006EDA

Spec. No. C733E3 Issued Date 2010.07.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP9006E3 ID -10A 95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 G Gate D Drain S Source... See More ⇒

Otros transistores... P5515BD , P5515BK , P5515BV , P7510ED , P7510EEU , P7510EK , P8010HK , P8806BM , IRFP260N , P9006EVA , P9515BD , PA010BV , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV .

 

 
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