P9006EVA Todos los transistores

 

P9006EVA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P9006EVA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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P9006EVA datasheet

 ..1. Size:416K  niko-sem
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P9006EVA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode P9006EVA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 90m -3.6A -60V G GATE G D DRAIN S SOURCE 100% UIS Tested S 100% Rg Tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Volta... See More ⇒

 7.1. Size:489K  unikc
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P9006EVA

P9006EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m @VGS = -10V -4.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) ( ) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -4.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C A -3.5 IDM -20 Pulsed Drain ... See More ⇒

 7.2. Size:489K  niko-sem
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P9006EVA

P9006EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m @VGS = -10V -4.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) ( ) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -4.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C A -3.5 IDM -20 Pulsed Drain ... See More ⇒

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P9006EVA

Spec. No. C733E3 Issued Date 2010.07.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP9006E3 ID -10A 95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 G Gate D Drain S Source... See More ⇒

Otros transistores... P5515BK , P5515BV , P7510ED , P7510EEU , P7510EK , P8010HK , P8806BM , P9006EDA , AO3400 , P9515BD , PA010BV , PA110BEA , PA110ED , PA110HEA , PA110NK , PA110NV , PA410BTF .

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