PA5D8JA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PA5D8JA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.49 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.96 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6
Búsqueda de reemplazo de PA5D8JA MOSFET
PA5D8JA datasheet
pa5d8ja.pdf
Dual N-Channel Logic Level PA5D8JA NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.96A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ... See More ⇒
pa5d8ea.pdf
N-Channel Enhancement Mode PA5D8EA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23-6 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.96A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protectio... See More ⇒
Otros transistores... PA110NV , PA410BTF , PA515BD , PA520BA , PA567EA , PA567JA , PA597BA , PA5D8EA , STP75NF75 , PA5S6EA , PA5S6JA , PA607UA , PA710ED , PA910BC , PA910BM , PB502CW , PB5A2BX .
History: PA710ED
History: PA710ED
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K | AP80N06T | AP80N06H | AP80N06DH | AP7N10K | AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647