PB600BX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PB600BX  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: PDFN2X2S

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PB600BX datasheet

 ..1. Size:351K  niko-sem
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PB600BX

PB600BX N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 2x2S Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 12m 10A G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applicatio

 8.1. Size:407K  unikc
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PB600BX

PB600BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 30V 9A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TA= 70 C 7.2 A IDM 27 Pulsed Drain Current

 9.1. Size:689K  infineon
 ipb600n25n3g ipp600n25n3g ipi600n25n3g ipp600n25n3g ipb600n25n3g ipi600n25n3g.pdf pdf_icon

PB600BX

 9.2. Size:258K  inchange semiconductor
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PB600BX

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB600N25N3G FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

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