PE561BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE561BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
Búsqueda de reemplazo de PE561BA MOSFET
PE561BA Datasheet (PDF)
pe561ba.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE561BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-30V 45m -14A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
Otros transistores... PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , IRF520 , PE597BA , PE5B1DZ , PE5B5DX , PE5B7BA , PE5C6JZ , PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA .
History: HSH15810 | GT45N06 | LBSS139DW1T1G | PD616BA
History: HSH15810 | GT45N06 | LBSS139DW1T1G | PD616BA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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