PE561BA Todos los transistores

 

PE561BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PE561BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

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PE561BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  niko-sem
 pe561ba.pdf pdf_icon

PE561BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE561BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-30V 45m -14A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

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History: RJK0652DPB | 6N60KG-TMS2-T | VBZ7001 | PMT280ENEA | TPM6401S3 | AOSS32136C | TPNTA4151PT1G

 

 
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