PK5A7BA Todos los transistores

 

PK5A7BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK5A7BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 108 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 927 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK5A7BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  niko-sem
 pk5a7ba.pdf pdf_icon

PK5A7BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PK5A7BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 3.5m -108 DFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. G Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. SD

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History: IRF7470TRPBF-10 | AP2607AGY-HF | FQB9N08LTM | DH100P28F

 

 
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