PK6A8BA Todos los transistores

 

PK6A8BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK6A8BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 272 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK6A8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  niko-sem
 pk6a8ba.pdf pdf_icon

PK6A8BA

PK6A8BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G40V 5.5m 52A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Vol

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History: PK6B0SA | IRFP4229PBF

 

 
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