PKCH6BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PKCH6BB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de PKCH6BB MOSFET
PKCH6BB Datasheet (PDF)
pkch6bb.pdf
N-Channel Enhancement Mode PKCH6BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 6.8m 49A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G
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History: SUP10250E | IPA50R500CE | MSF7N60 | NCE2309 | IPA50R950CE
History: SUP10250E | IPA50R500CE | MSF7N60 | NCE2309 | IPA50R950CE
Liste
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