PKCS0BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PKCS0BB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 177 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 694 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de PKCS0BB MOSFET
PKCS0BB Datasheet (PDF)
pkcs0bb.pdf

N-Channel Enhancement Mode PKCS0BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D40V 1.5m 177A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G
Otros transistores... PK8D8BA , PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB , PKCH6BB , PKCK2BB , PKCP4EB , PKCR0BB , RFP50N06 , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , PM555BZ , PM567EA .
History: CED02N9 | CED02N7G-1 | PSMN1R6-30PL | STB75NH02LT4 | CEP60N06G
History: CED02N9 | CED02N7G-1 | PSMN1R6-30PL | STB75NH02LT4 | CEP60N06G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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