PKE96BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PKE96BB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 101 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 801 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de PKE96BB MOSFET
PKE96BB Datasheet (PDF)
pke96bb.pdf

N-Channel Enhancement Mode PKE96BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 2.6m 101A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.
Otros transistores... PKCH6BB , PKCK2BB , PKCP4EB , PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , SKD502T , PKEA6EB , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA .
History: LNH4N60 | PM5C3BA | IXTM4N50A | 19N10G-TMS-T | PE601CA | ZXMN3A04K | HAT2165H
History: LNH4N60 | PM5C3BA | IXTM4N50A | 19N10G-TMS-T | PE601CA | ZXMN3A04K | HAT2165H



Liste
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