PP1515AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PP1515AF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 244 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PP1515AF

PP1515AF Datasheet (PDF)

..1. Size:302K niko-sem
pp1515af.pdf

PP1515AF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 150V 15m 35A 1: GATE 2: DRAIN G 3: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

7.1. Size:302K niko-sem
pp1515ad.pdf

PP1515AD N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 150V 15m 50A 1: GATE 2: DRAIN G 3: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

7.2. Size:354K niko-sem
pp1515ak.pdf

PP1515AK N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5X6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G150V 15m 44A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE S #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Vol

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