PP2915AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PP2915AK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PP2915AK datasheet

 ..1. Size:368K  niko-sem
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PP2915AK

PP2915AK N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D D 150V 29m 31A G G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Vo

 7.1. Size:250K  niko-sem
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PP2915AK

N-Channel Logic Level Enhancement PP2915AD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 29m 150V 34A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 34 Continuous Dra

Otros transistores... PP1410AEA, PP1410AF, PP1410AK, PP1515AD, PP1515AF, PP1515AK, PP1C06AKB, PP2915AD, IRF9640, PP2G10AS, PP2G10AT, PP2H06AK, PP2H06AT, PP2H06BK, PP4515BD, PP4515BK, PP4515BL