PP4B10BD Todos los transistores

 

PP4B10BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PP4B10BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 127 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 765 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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PP4B10BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  niko-sem
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PP4B10BD

N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10BD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.2m 100V 127A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 127 Continuous

 7.1. Size:190K  niko-sem
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PP4B10BD

N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10BS NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.2m 100V 134A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 134 Continuous

 7.2. Size:255K  niko-sem
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PP4B10BD

N-Channel Enhancement Mode PP4B10BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 4.2m 127A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source V

 7.3. Size:189K  niko-sem
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PP4B10BD

N-Channel Enhancement Mode PP4B10BF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 4.4m 78A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

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