PQ5U2JN Todos los transistores

 

PQ5U2JN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PQ5U2JN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 152 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
 

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PQ5U2JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  niko-sem
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PQ5U2JN

PQ5U2JN NIKO-SEM Common Drain N-Channel WLCSP Power MOSFET Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 24V 35m 5A 1. Source1 2. Gate1 3. Gate2 4. Source2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 24 V Gate-Source Voltage VGSS 12 V Continuous Source

Otros transistores... PP9C15AK , PP9C15AT , PP9H06BD , PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , 10N60 , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA .

History: MMN25N03 | PS06P30DA | IPT60R028G7 | FDZ7296 | RJK2555DPA | MS65R135R | AO4803A

 

 
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