PW567EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PW567EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PW567EA

PW567EA Datasheet (PDF)

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pw567ea.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement PW567EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-723 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.5A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ES

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