SJMN099R65SW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SJMN099R65SW
Código: N099R65S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 74 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de SJMN099R65SW MOSFET
SJMN099R65SW Datasheet (PDF)
sjmn099r65sw.pdf

SJMN099R65SW N-Channel Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features 650V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode: trr=202ns(typ.) Low drain-source On-resistance: R =0.099 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN099R65SW N099R65S TO-247 Mark
sjmn099r60zsw.pdf

SJMN099R60ZSW N-Channel Super-junction MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features 600V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode and Built-in ESD diode Low drain-source On-resistance: R =0.099 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device and Halogen-free device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247-3L S
sjmn099rh65sw.pdf

SJMN099RH65SW N-Channel Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features 650V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode: trr=202ns(typ.) Low drain-source On-resistance: R =0.099 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247-3L SJMN099RH65SW N099RH65S TO-247
sjmn041r65sw.pdf

SJMN041R65SW N-Channel Super-junction MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features 650V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode: trr=185ns(typ.) Low drain-source On-resistance: R =0.041 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN041R65SW N041R65S TO-247 Mark
Otros transistores... SJMN065R65W , SJMN070R60SW , SJMN074R65SW , SJMN074RH65SW , SJMN088R65F , SJMN088R65FD , SJMN088R65W , SJMN099R60ZSW , 7N60 , SJMN099RH65SW , SJMN165R65ZF , SJMN180R65CB , SJMN180R65CF , SJMN190R60F , SJMN190R65B , SJMN190R65F , SJMN190R65W .
History: STB30NF10 | SFG110N12PF | IRLZ44SPBF | IRL2203NPBF | SSF90R260S | NCE2305 | SI6562CDQ
History: STB30NF10 | SFG110N12PF | IRLZ44SPBF | IRL2203NPBF | SSF90R260S | NCE2305 | SI6562CDQ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
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