SJMN250R80ZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SJMN250R80ZF
Código: N250R80Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de SJMN250R80ZF MOSFET
SJMN250R80ZF Datasheet (PDF)
sjmn250r80zf.pdf

SJMN250R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN250R80ZF N250R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1:
sjmn250r80zw.pdf

SJMN250R80ZW Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN250R80ZW N250R80Z TO-247 Marking Information Column 1: Manufac
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SJMN250R80ZB Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss D Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-263 (D2-PAK) Part Number Marking Package SJMN250R80ZB SJMN250R80Z TO-263 (D2-PAK) Marking Inform
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SJMN250R80ZP Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220AB-3L Part Number Marking Package SJMN250R80ZP N250R80Z TO-220AB-3L Marking Information Column
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History: WST2333A | IRFR214A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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