SMK1065F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMK1065F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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SMK1065F datasheet

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SMK1065F

SMK1065F Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance R =0.72 (Typ.) DS(on) Low gate charge Q =35nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance C =16pF (Typ.) rss RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SMK1065F SMK1065

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SMK1065F

SMK1060P Semiconductor Semiconductor Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage BVDSS=600V(Min.) D Low Crss Crss=18pF(Typ.) Low gate charge Qg=35nc(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=0.75 (Max.) G Ordering Information Type No. Marking Package Code G D S S TO-220AB-3L SMK1060P SMK1060 TO-22

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SMK1065F

SMK1060FJ Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage BVDSS=600V(Min.) D Low Crss Crss=18pF(Typ.) Low gate charge Qg=35nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=0.75 (Max.) G Ordering Information G Type No. Marking Package Code D S S TO-220F-3L SMK1060FJ SMK1060 TO-220F-3L (J Forming) Ma

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SMK1065F

SMK1060F Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BV =600V(Min.) DSS Low C C =18pF(Typ.) rss rss Low gate charge Qg=35nC(Typ.) Low R R =0.75 (Max.) DS(on) DS(on) G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SMK1060F SMK1060 TO-220F-3L Marking Diagram AUK = Manufacture Logo

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