SNN3530BNL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SNN3530BNL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TESOP-8

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SNN3530BNL datasheet

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SNN3530BNL

SNN3530BNL N-Ch Trench MOSFET N-ch 30V Fast Switching MOSFETs Features S S S G 100% E guaranteed AS Max. R =2.5m at V =10V, I =30A DS(ON) GS D Super low gate charge Halogen free available and RoHS compliant device D Ordering Information TESOP-8 Part Number Marking Package SNN3530BNL F3530B TESOP-8 Marking Information Column 1 Device Code Col

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SNN3530BNL

SNN3530NL N-Ch Trench MOSFET N-ch 30V Fast Switching MOSFETs Features S S S G 100% EAS guaranteed Max. RDS(ON)=3m at VGS=10V, ID=30A Super low gate charge Halogen free available and RoHS compliant device D Ordering Information TESOP-8 Part Number Marking Package SNN3530NL F3530 TESOP-8 Marking Information Column 1 Device Code Column 2 Product

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SNN3530BNL

SNN3515D N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VDSS = 150V, ID = 35A Low drain-source On resistance D RDS(on) = 35m (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 10A RDS(on) = 40m (Typ.) @ VGS = 6V, ID = 8A Reliable and Rugged Lead Free and Green devices available (RoHS Compliant) G S Applications Power Management in TV Converter DC-DC Converter TO-2

Otros transistores... SNN1120L10Q, SNN1530NL, SNN1830NL, SNN200L10D, SNN300L06D, SNN3100L10D, SNN3100L10Q, SNN3100L15Q, IRFB3607, SNN3530NL, SNP130L04F, SNP250L06F, SRN0765D, SRN0765F, SRN127, SRN1660F, SRN1660FD