SNN3530NL Todos los transistores

 

SNN3530NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNN3530NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TESOP-8

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SNN3530NL Datasheet (PDF)

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SNN3530NL
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SNN3530NL N-Ch Trench MOSFET N-ch 30V Fast Switching MOSFETs Features S S S G 100% EAS guaranteed Max. RDS(ON)=3m at VGS=10V, ID=30A Super low gate charge Halogen free available and RoHS compliant device D Ordering Information TESOP-8 Part Number Marking Package SNN3530NL F3530 TESOP-8 Marking Information Column 1: Device Code Column 2: Product

 7.1. Size:555K  auk
snn3530bnl.pdf

SNN3530NL
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SNN3530BNL N-Ch Trench MOSFET N-ch 30V Fast Switching MOSFETs Features S S S G 100% E guaranteed AS Max. R =2.5m at V =10V, I =30A DS(ON) GS D Super low gate charge Halogen free available and RoHS compliant device D Ordering Information TESOP-8 Part Number Marking Package SNN3530BNL F3530B TESOP-8 Marking Information Column 1: Device Code Col

 9.1. Size:313K  auk
snn3515d.pdf

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SNN3515DN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures VDSS = 150V, ID = 35A Low drain-source On resistance: D RDS(on) = 35m (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 10A RDS(on) = 40m (Typ.) @ VGS = 6V, ID = 8A Reliable and Rugged Lead Free and Green devices available (RoHS Compliant) G S Applications Power Management in TV Converter DC-DC Converter TO-2

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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