AON7264C Todos los transistores

 

AON7264C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON7264C
   Código: 7264C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0132 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3A-8L

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AON7264C Datasheet (PDF)

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AON7264C
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AON7264CTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON7264C
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AON7264ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 28A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON7264C
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AON7264ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 28A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON7264C
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AON7262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON7264C
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AON7262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 34A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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