AONS1R6A70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS1R6A70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONS1R6A70 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONS1R6A70 datasheet

 ..1. Size:671K  aosemi
 aons1r6a70.pdf pdf_icon

AONS1R6A70

AONS1R6A70 TM 700V, aMOS N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 8.1. Size:688K  aosemi
 aons1r1a70.pdf pdf_icon

AONS1R6A70

AONS1R1A70 TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:432K  aosemi
 aons18314.pdf pdf_icon

AONS1R6A70

AONS18314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AON7410, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321, AONS30300, AONS30302, AONS30306, AONS32100