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HUF76429DF085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF76429DF085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO252

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HUF76429DF085 datasheet

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HUF76429DF085

HUFA76429D3ST_F085 Data Sheet September 2010 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features Ultra Low On-Resistance JEDEC TO-252AA - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal Models GATE - Spice and SABER Thermal Im

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HUF76429DF085

HUF76429D3, HUF76429D3S Data Sheet February 2005 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect

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HUF76429DF085

HUF76429D3, HUF76429D3S Data Sheet February 2005 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect

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History: FQPF19N20C | FQPF22P10

 

 

 


 
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