HUF76429DF085 Todos los transistores

 

HUF76429DF085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76429DF085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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HUF76429DF085 Datasheet (PDF)

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HUF76429DF085

HUFA76429D3ST_F085 Data Sheet September 201020A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeatures Ultra Low On-ResistanceJEDEC TO-252AA- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VDRAIN (FLANGE) Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Im

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HUF76429DF085

HUF76429D3, HUF76429D3SData Sheet February 200520A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElect

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HUF76429DF085

HUF76429D3, HUF76429D3SData Sheet February 200520A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElect

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History: BF901 | TMPF4N65

 

 
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