AONS68520 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS68520

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 102 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AONS68520 datasheet

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AONS68520

AONS68520 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) and optimized swiching performance ID (at VGS=10V) 102A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONS68520

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONS68520

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONS68520

AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONS66909, AONS66916T, AONS66917, AONS66917T, AONS66919, AONS66920, AONS66923, AONS67614, IRFB4115, AONS74304, AONS74306, AONS74312, AONS77402, AONS850A70, AONX36320, AONX36322, AONX36324