AONS74304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONS74304
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 440 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00068 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de AONS74304 MOSFET
AONS74304 Datasheet (PDF)
aons74304.pdf

AONS7430430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 440A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons74306.pdf

AONS7430630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 370A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons74312.pdf

AONS7431230V N-Channel MOSFET General Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) ID (at VGS=10V) 210A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons77402.pdf

AONS77402TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 335A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)
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History: 2SK1680 | AP9402AGYT-HF | IXFT24N90P | TSM2302CX | IXFT24N80P | KP509B9 | IXTA64N10L2
History: 2SK1680 | AP9402AGYT-HF | IXFT24N90P | TSM2302CX | IXFT24N80P | KP509B9 | IXTA64N10L2



Liste
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