AONX36320 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONX36320

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00425 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONX36320 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONX36320 datasheet

 ..1. Size:563K  aosemi
 aonx36320.pdf pdf_icon

AONX36320

AONX36320 TM 30V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:1214K  aosemi
 aonx36322.pdf pdf_icon

AONX36320

AONX36322 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:1027K  aosemi
 aonx36324.pdf pdf_icon

AONX36320

AONX36324 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:539K  aosemi
 aonx38320.pdf pdf_icon

AONX36320

AONX38320 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 66A 233A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONS66923, AONS67614, AONS68520, AONS74304, AONS74306, AONS74312, AONS77402, AONS850A70, IRF630, AONX36322, AONX36324, AONX38168, AONX38168A, AONX38320, AONY36302, AONY36304, AONY36354