AOSD32334C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSD32334C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SO8

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AOSD32334C datasheet

 ..1. Size:326K  aosemi
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AOSD32334C

AOSD32334C 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:332K  aosemi
 aosd32338c.pdf pdf_icon

AOSD32334C

AOSD32338C 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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