AOSS21329 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSS21329

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AOSS21329 datasheet

 ..1. Size:322K  aosemi
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AOSS21329

AOSS21329 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AOSS21329

AOSS21311C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -4.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AOSS21329

AOSS21319C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AOSS21329

AOSS21115C 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

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