AOK040A60 Todos los transistores

 

AOK040A60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOK040A60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 175 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOK040A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  aosemi
 aok040a60.pdf pdf_icon

AOK040A60

AOK040A60TM 600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 250A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:474K  aosemi
 aok042a60fd.pdf pdf_icon

AOK040A60

AOK042A60FDTM600V,aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 250A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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History: 2SK3592-01SJ | SIHFU9310

 

 
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