AOK125A60 Todos los transistores

 

AOK125A60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOK125A60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AOK125A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  aosemi
 aok125a60.pdf pdf_icon

AOK125A60

AOK125A60TM600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 0.1. Size:455K  aosemi
 aok125a60fdl.pdf pdf_icon

AOK125A60

AOK125A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 88A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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History: LSF55R140GF | 2P980A | STE30NK90Z | FQD13N06LTF | PHN210T | AM4812 | BR8810MF

 

 
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