AOK66613 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOK66613

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de AOK66613 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOK66613 datasheet

 ..1. Size:375K  aosemi
 aok66613.pdf pdf_icon

AOK66613

AOK66613 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:368K  aosemi
 aok66914.pdf pdf_icon

AOK66613

AOK66914 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:375K  aosemi
 aok66518.pdf pdf_icon

AOK66613

AOK66518 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOK095A60FD, AOK095A60FDL, AOK125A60, AOK125A60FDL, AOK160A60, AOK160A60FDL, AOK2500L, AOK66518, 5N65, AOK66914, AOI1R4A70, AOI21357, AOI360A70, AOI380A60C, AOI450A70, AOI600A60, AOI600A70