AOK66613 Todos los transistores

 

AOK66613 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOK66613
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AOK66613 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  aosemi
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AOK66613

AOK66613TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:368K  aosemi
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AOK66613

AOK66914TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:375K  aosemi
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AOK66613

AOK66518TM150V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS150V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOK095A60FD , AOK095A60FDL , AOK125A60 , AOK125A60FDL , AOK160A60 , AOK160A60FDL , AOK2500L , AOK66518 , IRF4905 , AOK66914 , AOI1R4A70 , AOI21357 , AOI360A70 , AOI380A60C , AOI450A70 , AOI600A60 , AOI600A70 .

History: 2SK4090-S27-AY | STI8N65M5 | AM1340N | IPP320N20N3 | S10H18RP | CSD19538Q3A | STL40N75LF3

 

 
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