AOY66920 Todos los transistores

 

AOY66920 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOY66920
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251B
 

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AOY66920 Datasheet (PDF)

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AOY66920

AOY66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOY66920

AOY66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOY66920

AOY66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOY66920

AOY66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 58A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: JMTG3005C | JMTG4004A | JMSL1018AP | KPA1790 | DHS008N04P | DHS015N06 | 2SK2386

 

 
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