AOD32334C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD32334C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

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AOD32334C datasheet

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AOD32334C

AOD32334C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOD32334C

AOD32326 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOD32334C

AOD32324 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOY66920, AOY66923, AOD1R4A70, AOD210V60E, AOD21357, AOD280A60, AOD32324, AOD32326, AO3407, AOD360A70, AOD380A60, AOD380A60C, AOD450A70, AOD600A60, AOD600A70, AOD600A70R, AOD66616