AOD450A70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD450A70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO252

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AOD450A70 datasheet

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AOD450A70

AOD450A70/AOI450A70 TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOD450A70

AOD450A70/AOI450A70 TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOD450A70

AOD450 200V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 200V The AOD450 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 3.8A This device is suitable for use in inverter, load switching RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOD450A70

AOD4504 200V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 200V The AOD4504 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 6A extremely low RDS(ON).This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

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