AOB095A60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOB095A60L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 378 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de AOB095A60L MOSFET
AOB095A60L Datasheet (PDF)
aob095a60l.pdf

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60LTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Otros transistores... AOWF190A60C , AOWF360A70 , AOWF380A60C , AOWF450A70 , AOWF600A60 , AOWF600A70 , AOWF600A70F , AOWF780A70 , IRFZ44N , AOB125A60L , AOB160A60L , AOB190A60CL , AOB190A60L , AOB280A60L , AOB360A70L , AOB380A60CL , AOB450A70L .
History: RND030N20 | ME70N03S-G | 2SK1612 | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02
History: RND030N20 | ME70N03S-G | 2SK1612 | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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