AOB66518L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOB66518L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de AOB66518L MOSFET
AOB66518L Datasheet (PDF)
aob66518l.pdf

AOB66518L150V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 150V Combined of low RDS(ON) and wide safe operatiing area ID (at VGS=10V) 120A (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)
aob66916l.pdf

AOT66916L/AOB66916LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Best in class on-resistance RDS(ON) Lowers switching loss by lower Qrr than other MOSFET RDS(ON) (at VGS=10V)
aob66811l.pdf

AOB66811LTM80V N-Channel AlphaSGT2General Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGT2TM technology ID (at VGS=10V) 140A Low RDS(ON) and optimized switching performance RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)
aob66920l.pdf

AOT66920L/AOB66920LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AOB280A60L , AOB360A70L , AOB380A60CL , AOB450A70L , AOB600A60L , AOB600A70FL , AOB600A70L , AOB66216L , IRF640N , AOB66613L , AOB66616L , AOB66620L , AOB66811L , AOB66916L , AOB66919L , AOB66920L , AOB66935L .
History: IRF5N3710 | IRFS723 | HGP480N15M | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02
History: IRF5N3710 | IRFS723 | HGP480N15M | ME70N03S-G | DH400P06F | IXFT86N30T | IPB180N08S4-02



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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