AOB66616L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOB66616L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOB66616L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: TO263

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AOB66616L datasheet

..1. Size:1258K aosemi
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AOT66616L/AOB66616L TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 140A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:788K aosemi
aob66616l.pdf pdf_icon

7.1. Size:395K aosemi
aob66613l.pdf pdf_icon

AOT66613L/AOB66613L TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

7.2. Size:395K aosemi
aot66613l aob66613l.pdf pdf_icon

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