FXN40N03C Todos los transistores

 

FXN40N03C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN40N03C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FXN40N03C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  cn fx-semi
 fxn40n03c.pdf pdf_icon

FXN40N03C

 6.1. Size:333K  cn fx-semi
 fxn40n03h.pdf pdf_icon

FXN40N03C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N03H Series Rev.A General Description Features The FXN40N03H uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 30V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industr

 8.1. Size:797K  cn fx-semi
 fxn40n20c.pdf pdf_icon

FXN40N03C

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN40N20C Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN40N20C uses advanced Planar Vdmos Technology, whichVDS = 200Vprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 40A @VGS = 10Vperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial applications

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