DH019N04F Todos los transistores

 

DH019N04F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH019N04F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 64 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 784 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de DH019N04F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DH019N04F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1223K  cn wxdh
 dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf pdf_icon

DH019N04F

DH019N04/DH019N04F/DH019N04IDH019N04E/DH019N04B/DH019N04D250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 250AD2 Features Fast switchin

Otros transistores... HYG035N10NS2B , JMTE070N07A , DH012N03D , DH012N03E , DH012N03F , DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U , 8N60 , DH019N04I , DH020N03 , DH020N03B , DH020N03D , DH020N03E , B25N10 , B2N65 , B4N60 .

History: APT8024B2VR | SIHFI644G | IRLHM630 | AP83T03GJ | NP28N10SDE | 2SK4006-01SJ | AP4578GM

 

 
Back to Top

 


 
.