DH019N04F Todos los transistores

 

DH019N04F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH019N04F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 64 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 784 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DH019N04F Datasheet (PDF)

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DH019N04F

DH019N04/DH019N04F/DH019N04IDH019N04E/DH019N04B/DH019N04D250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 250AD2 Features Fast switchin

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History: SNN2515D | IRFR9020PBF | FQP2N40 | IRFPS38N60LPBF | WNM2046 | SFG180N10KF | ME08N20

 

 
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