FDD16AN08F085 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD16AN08F085  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO252

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FDD16AN08F085 datasheet

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FDD16AN08F085

May 2002 FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Sing

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FDD16AN08F085

October 2008 FDD16AN08A0_F085 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capabil

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FDD16AN08F085

May 2002 FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Sing

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