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FDD16AN08F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD16AN08F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD16AN08F085

 

Principales características: FDD16AN08F085

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FDD16AN08F085

May 2002 FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Sing

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FDD16AN08F085

October 2008 FDD16AN08A0_F085 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capabil

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FDD16AN08F085

May 2002 FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 16m Features Applications rDS(ON) = 13m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 31nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low Qrr Body Diode Electronic Valve Train Systems UIS Capability (Sing

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