DH020N03I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH020N03I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 787 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: TO262

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DH020N03I datasheet

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DH020N03I

DH020N03/DH020N03F/DH020N03I/ DH020N03E/DH020N03B/DH020N03D 200A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 200A D 2 Features Low on res

 6.1. Size:704K  cn wxdh
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DH020N03I

Otros transistores... D10N70, D110N04, D120N10ZR, CMP3006-VB, 2N3368, 2N3369, 2N3370, DH020N03F, AON7410, DH020N03P, DCC016M120G2, DCC016M120G3, DCC020M65G2, DCC030M120G2, DCC040M65G2, DCC060M65G2, DCC075M120G2C