DH105N07B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH105N07B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO251

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DH105N07B datasheet

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DH105N07B

DH105N07/DH105N07F/DH105N07I/ DH105N07E/DH105N07B/DH105N07D 60A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10.5m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 60A D 2 Features Low on resi

 6.1. Size:737K  cn wxdh
 dh105n07p.pdf pdf_icon

DH105N07B

DH105N07P 56A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 56A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

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