DH105N07B Todos los transistores

 

DH105N07B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH105N07B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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DH105N07B Datasheet (PDF)

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 dh105n07 dh105n07f dh105n07i dh105n07e dh105n07b dh105n07d.pdf pdf_icon

DH105N07B

DH105N07/DH105N07F/DH105N07I/DH105N07E/DH105N07B/DH105N07D60A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 10.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 60AD2 Features Low on resi

 6.1. Size:737K  cn wxdh
 dh105n07p.pdf pdf_icon

DH105N07B

DH105N07P56A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 70VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 10mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 56AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Otros transistores... DH100P40E , DH100P40F , DH100P40I , DH100P70 , DH100P70E , DH100P70F , DH100P70I , DH105N07 , AO3407 , DH105N07D , DH105N07E , DH105N07F , DH105N07I , DH105N07P , DH4N150B , DH4N150F , DH500P06R .

History: STU7N60M2 | AOD600A60 | IPD105N03LG | STB60NE06L-16T4 | IRFR2405PBF | 12N65KL-TF2-T | APT50M50PVR

 

 
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