DH8004 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH8004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO220

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DH8004 datasheet

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DH8004

DH8004/DHI8004/DHE8004/ DH8004D/DH8004B 180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS V = 80V DSS standard. G R = 2.8m DS(on) (Type) 1 2 Features 3 S I = 180A D Fast switching Low on resi

Otros transistores... DH105N07I, DH105N07P, DH4N150B, DH4N150F, DH500P06R, DH50N06FZC, DH50N15, DH60N06, IRFB31N20D, DH8004B, DH8004D, DH80N08B22, DH8290, DH850N10, DH850N10B, DH850N10D, DH850N10E