DH850N10E Todos los transistores

 

DH850N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH850N10E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DH850N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  cn wxdh
 dh850n10 dh850n10f dh850n10i dh850n10e dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10E

DH850N10/DH850N10F/DH850N10IDH850N10E/DH850N10B/DH850N10D15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 86mDS(on) (TYP)standard.13 SID =15A2 Features Low on resistan

 6.1. Size:791K  cn wxdh
 dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10E

DH850N10B/DH850N10D12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 86mDS(on) (TYP)standard.13 SID =12A2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switch

Otros transistores... DH8004 , DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 , DH8290 , DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D , AON7403 , DH850N10F , DH150N12 , DH150N12B , DH150N12D , DH150N12E , DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V .

History: APT6017B2FLL | STP15NM60ND | SWB090R08ET

 

 
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