DH3205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH3205A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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DH3205A Datasheet (PDF)
dh3205a dhf3205a dhi3205a dhe3205a dhb3205a dhd3205a.pdf

DH3205A/DHF3205A/DHI3205A/DHE3205A/DHB3205A/DHD3205A100A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 6.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Features Low on resistanc
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History: IPP65R380E6 | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | HY1908S | OSG65R140HSZF | NTMFS4C054N | SWX38N65K2F
History: IPP65R380E6 | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | HY1908S | OSG65R140HSZF | NTMFS4C054N | SWX38N65K2F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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