DH026N06D Todos los transistores

 

DH026N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH026N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 238 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 255 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 685 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DH026N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1437K  cn wxdh
 dh026n06 dh026n06f dh026n06i dh026n06e dh026n06d dh026n06b.pdf pdf_icon

DH026N06D

DH026N06/DH026N06F/DH026N06I/DH026N06E/DH026N06D/DH026N06B238A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 2.6mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 238A3 S D2 Features Low on res

Otros transistores... DH400P06E , DH400P06F , DH400P06I , DH400P06LB , DH400P06LD , DH025N08 , DH026N06 , DH026N06B , IRF830 , DH026N06E , DH026N06F , DH026N06I , DH028N03 , DH028N03B , DH028N03D , DH028N03E , DH028N03F .

History: SSF2627

 

 
Back to Top

 


 
.