FQS4903 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQS4903  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.2 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FQS4903 datasheet

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FQS4903

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V DuaI N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.37A, 500V, RDS(on) = 6.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.5 pF) This advanced technology has b

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FQS4903

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQS4900 Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET General Description Features These dual N and P-channel enhancement mode power N-Channel 1.3A, 60V, RDS(on) = 0.55 @ VGS = 10 V field effect transistors are produced using Fairchild s RDS(on) = 0.65 @ VGS = 5 V proprietary, planar stripe, DMOS technology. P-Channel -0.3A, -300V, RDS(on) =

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FQS4903

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V DuaI N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.45A, 400V, RDS(on) = 4.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.8 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF) This advanced technology has b

Otros transistores... FQPF9N25C, FQPF9N50CF, FQPF9N90C, FQPF9P25, FQS4900, FCI25N60N, FQS4901, FCP25N60N, IRFB7545, FQT13N06, FQT13N06L, FQT1N60C, HUF76413DKF085, FQT1N80, HUF76407DKF085, FQT3P20, FQT4N20L