DHD3N90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHD3N90  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DHD3N90 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DHD3N90 datasheet

 ..1. Size:1394K  cn wxdh
 dh3n90 dhf3n90 dhi3n90 dhe3n90 dhb3n90 dhd3n90.pdf pdf_icon

DHD3N90

DH3N90/DHF3N90/DHI3N90/ DHE3N90/DHB3N90/DHD3N90 3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 900V DSS self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 4.7 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 3

Otros transistores... DHBSJ5N65, DHBSJ7N65, DHBZ24B31, DHD015N06, DHD035N04, DHD100N03B13, DHD16N06, DHD3205A, AOD4184A, DHD50N03, DHF10H037R, DHF16N06, DHF3205A, DHF3N90, DHF50N06FZC, DHF50N15, DHF80N08B22